Modeling and Verification of 4H-SiC Trench MOS Integration using Trench-First-Technology
- Alternative title
-
Modellierung und Verifikation der Integration von 4H-SiC Leistungs-MOSFET mit Graben-Zuerst-Technologie
- Location
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Extent
-
Online-Ressource
- Language
-
Englisch
- Notes
-
Erlangen, Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU), Dissertation, 2023
- Classification
-
Elektrotechnik, Elektronik
- Keyword
-
Siliciumcarbid
Silicium
Ionenimplantation
MOS-FET
MOS
Halbleitertechnologie
- Event
-
Veröffentlichung
- (where)
-
Erlangen
- (who)
-
Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU)
- (when)
-
2023
- Creator
-
Lim, Minwho
- Contributor
-
Erlbacher, ,. Tobias
Erlbacher, ,. Tobias
Weigel, Robert
- DOI
-
10.25593/open-fau-64
- URN
-
urn:nbn:de:101:1-2024030202332646698974
- Rights
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Last update
-
25.03.2025, 1:47 PM CET
Data provider
This object is provided by:
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Associated
- Lim, Minwho
- Erlbacher, ,. Tobias
- Weigel, Robert
- Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU)
Time of origin
- 2023
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