Modeling and Verification of 4H-SiC Trench MOS Integration using Trench-First-Technology
- Weitere Titel
-
Modellierung und Verifikation der Integration von 4H-SiC Leistungs-MOSFET mit Graben-Zuerst-Technologie
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Englisch
- Anmerkungen
-
Erlangen, Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU), Dissertation, 2023
- Klassifikation
-
Elektrotechnik, Elektronik
- Schlagwort
-
Siliciumcarbid
Silicium
Ionenimplantation
MOS-FET
MOS
Halbleitertechnologie
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Erlangen
- (wer)
-
Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU)
- (wann)
-
2023
- Urheber
-
Lim, Minwho
- Beteiligte Personen und Organisationen
-
Erlbacher, ,. Tobias
Erlbacher, ,. Tobias
Weigel, Robert
- DOI
-
10.25593/open-fau-64
- URN
-
urn:nbn:de:101:1-2024030202332646698974
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
25.03.2025, 13:47 MEZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
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Beteiligte
- Lim, Minwho
- Erlbacher, ,. Tobias
- Weigel, Robert
- Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU)
Entstanden
- 2023
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