Hochschulschrift
Grundlagenentwicklung einer Trench-MOS-Technologie auf hexagonalem Siliziumkarbid
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
-
9783832220334
383222033X
- Maße
-
21 cm, 266 gr.
- Umfang
-
III, 160 S.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Ill., graph. Darst.
Zugl.: Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 2003
- Klassifikation
-
Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau
- Schlagwort
-
Siliciumcarbid
Hexagonaler Kristall
MOS-FET
Trench
PECVD-Verfahren
Oxide
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
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- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 13:39 MESZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Hellmund, Oliver
- Shaker
Entstanden
- 2003
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