Hochschulschrift
Grundlagenentwicklung unterschiedlicher MOS-Technologien auf Siliciumcarbid (SiC)
- Location
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
-
9783826588761
3826588762
- Dimensions
-
21 cm
- Extent
-
124 S.
- Language
-
Deutsch
- Notes
-
graph. Darst.
Zugl.: Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 2000
- Keyword
-
Wide-bandgap Halbleiter
Siliciumcarbid
MOS-FET
Ionenimplantation
Gate-Oxid
PECVD-Verfahren
- Table of contents
- Rights
-
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- Last update
-
11.06.2025, 1:55 PM CEST
Data provider
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Object type
- Hochschulschrift
Associated
- Scharnholz, Sigo
- Shaker
Time of origin
- 2001
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