Hochschulschrift
Kapazitäts-Spannungs-Messungen im Nichtgleichgewicht zur Charakterisierung von Si-MOS- und Si-SiGe-Si-MOS-Strukturen
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
-
9783897221123
3897221128
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
II, 154 S.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
graph. Darst.
Zugl.: Berlin, Humboldt-Univ., Diss., 1998
- Schlagwort
-
MOS
Sonde
Kapazitäts-Spannungs-Kennlinie
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 14:07 MESZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Sorge, Roland
- Logos-Verl.
Entstanden
- 1998
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![Einsatz der Hochfrequenz-Kapazitäts-Spannungs-Methode zur Untersuchung der elektronischen Eigenschaften von Si/SiO2-Grenzflächen [Si-SiO-Grenzflächen]](/assets/placeholder/searchResultMediaNoDigitisedMedia.png)
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