Hochschulschrift
Integration epitaktischer InP-Schichten in Si-MOS-Schaltungen
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
-
9783181466094
3181466093
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
VI, 110 S.
- Ausgabe
-
Als Ms. gedr.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Ill., graph. Darst.
Zugl.: Braunschweig, Techn. Univ., Diss., 1993
- Erschienen in
-
Fortschrittberichte VDI / 9 / Verein Deutscher Ingenieure ; Nr. 166, Reihe 9
- Schlagwort
-
MOS-Schaltung
Siliciumbauelement
Indiumphosphid
Dünne Schicht
Gasphasenepitaxie
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Düsseldorf
- (wer)
-
VDI-Verl.
- (wann)
-
1993
- Urheber
-
Lubnow, Andreas
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 14:15 MESZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Lubnow, Andreas
- VDI-Verl.
Entstanden
- 1993
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