Hochschulschrift

Nichtquasistatisches MOS-Transistormodell

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
ISBN
9783183290093
318329009X
Maße
21 cm
Umfang
XVIII, 214 S.
Ausgabe
Als Ms. gedr.
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
Ill., graph. Darst.
Zugl.: München, Hochsch. der Bundeswehr, Diss., 1998

Erschienen in
Fortschrittberichte VDI / 9 / Verein Deutscher Ingenieure ; Nr. 290, Reihe 9

Schlagwort
MOS-FET
Entwurfsautomation
Selbstadjungierte elliptische Differentialgleichung
Finite-Differenzen-Methode

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Düsseldorf
(wer)
VDI-Verl.
(wann)
1999
Urheber
Matthes, Carsten

Inhaltsverzeichnis
Rechteinformation
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Letzte Aktualisierung
11.06.2025, 13:56 MESZ

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Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

  • Matthes, Carsten
  • VDI-Verl.

Entstanden

  • 1999

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