Hochschulschrift
Temperverhalten von Elektronen- und Löcherfangstellen in SiO2-Schichten [SiO-Schichten] von MOS-Strukturen
- Location
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Dimensions
-
21 cm
- Extent
-
119 S.
- Language
-
Deutsch
- Notes
-
graph. Darst.
Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 1983
- Keyword
-
MOS-Struktur
Siliziumdioxid
Transistor
MOS
Siliciumdioxid
Transistor
- Creator
-
Aslam, Mohammad
- Table of contents
- Rights
-
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- Last update
-
11.03.2025, 11:42 AM CET
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Object type
- Hochschulschrift
Associated
- Aslam, Mohammad
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![Herstellung und Eigenschaften kathodisch aufgestäubter SiO2- [SiO-] und SiO2-polySi-Schichten [SiO-polySi-Schichten] für die MOS-Technologie](/assets/placeholder/searchResultMediaNoDigitisedMedia.png)
Herstellung und Eigenschaften kathodisch aufgestäubter SiO2- [SiO-] und SiO2-polySi-Schichten [SiO-polySi-Schichten] für die MOS-Technologie
Pyrolytische SiO2-Schichten [SiO-Schichten] für die GaAs-Technologie
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Untersuchungen der Raumladungsstruktur elektronenbombardierter SiO2-Schichten [SiO-Schichten] mit der Kelvinmethode
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Strukturelle und röntgenspektroskopische Untersuchungen an dünnen SiO2-Schichten [SiO-Schichten] auf Silicium
Untersuchungen zum Mechanismus der Messeffektentstehung in MOS-Neutronen-Sensoren unter Berücksichtigung des glasartigen Verhaltens der SiO2-Schicht [SiO-Schicht]
Beitrag zur Entwicklung der STSC-Methode zur Technologiecharakterisierung von SiO2-Schichten [SiO-Schichten]
Untersuchung der photokatalytischen Wirkung von TiO2/SiO2-Schichten
Herstellung und Eigenschaften hochdurchschlagsfester aufgestäubter SiO2-Schichten
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