Hochschulschrift
Grundlagenentwicklung einer Trench-MOS-Technologie auf hexagonalem Siliziumkarbid
- Location
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
-
9783832220334
383222033X
- Dimensions
-
21 cm, 266 gr.
- Extent
-
III, 160 S.
- Language
-
Deutsch
- Notes
-
Ill., graph. Darst.
Zugl.: Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 2003
- Classification
-
Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau
- Keyword
-
Siliciumcarbid
Hexagonaler Kristall
MOS-FET
Trench
PECVD-Verfahren
Oxide
- Table of contents
- Rights
-
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- Last update
-
11.06.2025, 1:39 PM CEST
Data provider
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Object type
- Hochschulschrift
Associated
- Hellmund, Oliver
- Shaker
Time of origin
- 2003
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Grundlagenentwicklung unterschiedlicher MOS-Technologien auf Siliciumcarbid (SiC)
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Zur Anwendung der Kurzzeit-Prozesstechnik in der MOS-Technologie
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