Hochschulschrift
Sublimations-Kristallzüchtung von Siliziumkarbid : Visualisierung und Modellbildung
- Location
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
-
9783826590757
3826590759
- Dimensions
-
24 cm
- Extent
-
104 S.
- Language
-
Deutsch
- Notes
-
Ill., graph. Darst.
Zugl.: Erlangen, Nürnberg, Univ., Habil.-Schr., 2001
- Classification
-
Chemie
- Keyword
-
Siliciumcarbid
Kristallzüchtung
Sublimation
PVD-Verfahren
Röntgenographie
In situ
- Table of contents
- Rights
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Last update
-
11.03.2025, 12:15 PM CET
Data provider
This object is provided by:
Deutsche Nationalbibliothek. If you have any questions about the object, please contact the data provider.
Deutsche Nationalbibliothek. If you have any questions about the object, please contact the data provider.
Object type
- Hochschulschrift
Associated
- Wellmann, Peter
- Shaker
Time of origin
- 2001
Other Objects (12)
Lösungszüchtung von Siliziumkarbid
Kristallzüchtung, Spektroskopie und Lasereigenschaften Yb-dotierter Sesquioxide
Herstellung von semi-isolierenden Siliziumkarbid-Einkristallen
Grundlagenentwicklung einer Trench-MOS-Technologie auf hexagonalem Siliziumkarbid
Prozesskontrolle bei der Züchtung von Siliziumkarbid-Einkristallen aus der Gasphase
Zur Herstellung und elektrischen Charakterisierung von Gate-Oxiden auf Siliziumkarbid
Herstellung von Siliziumkarbid im Sublimationsverfahren : eine Analyse der Wachstumsmechanismen und Kristalleigenschaften
Fallbasierte Modellbildung in der Verfahrenstechnik
Modellbildung für Verdichtungsvorgänge pulverförmiger Materialien
Bestimmung der Ladungsträgerkonzentration und Kompensation in Siliziumkarbid mittels optischer und elektrischer Methoden
Modellbildung von Kleinpartikeln auf erdnahen Umlaufbahnen
Visuelle Texturen : Modellbildung, Generierung und Anwendung
Lösungszüchtung von Siliziumkarbid
Kristallzüchtung, Spektroskopie und Lasereigenschaften Yb-dotierter Sesquioxide
Herstellung von semi-isolierenden Siliziumkarbid-Einkristallen
Grundlagenentwicklung einer Trench-MOS-Technologie auf hexagonalem Siliziumkarbid
Prozesskontrolle bei der Züchtung von Siliziumkarbid-Einkristallen aus der Gasphase
Zur Herstellung und elektrischen Charakterisierung von Gate-Oxiden auf Siliziumkarbid
Herstellung von Siliziumkarbid im Sublimationsverfahren : eine Analyse der Wachstumsmechanismen und Kristalleigenschaften
Fallbasierte Modellbildung in der Verfahrenstechnik
Modellbildung für Verdichtungsvorgänge pulverförmiger Materialien
Bestimmung der Ladungsträgerkonzentration und Kompensation in Siliziumkarbid mittels optischer und elektrischer Methoden
Modellbildung von Kleinpartikeln auf erdnahen Umlaufbahnen
Visuelle Texturen : Modellbildung, Generierung und Anwendung
Lösungszüchtung von Siliziumkarbid
Kristallzüchtung, Spektroskopie und Lasereigenschaften Yb-dotierter Sesquioxide
Herstellung von semi-isolierenden Siliziumkarbid-Einkristallen
Grundlagenentwicklung einer Trench-MOS-Technologie auf hexagonalem Siliziumkarbid
Prozesskontrolle bei der Züchtung von Siliziumkarbid-Einkristallen aus der Gasphase
Zur Herstellung und elektrischen Charakterisierung von Gate-Oxiden auf Siliziumkarbid
Herstellung von Siliziumkarbid im Sublimationsverfahren : eine Analyse der Wachstumsmechanismen und Kristalleigenschaften
Fallbasierte Modellbildung in der Verfahrenstechnik
Modellbildung für Verdichtungsvorgänge pulverförmiger Materialien
Bestimmung der Ladungsträgerkonzentration und Kompensation in Siliziumkarbid mittels optischer und elektrischer Methoden
Modellbildung von Kleinpartikeln auf erdnahen Umlaufbahnen