Hochschulschrift

Characterization, integration and reliability of HfO2 and LaLuO3 high-κ-metal [high-kappa-metal] gate stacks for CMOS applications

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Maße
30 cm
Umfang
XI, 179 S.
Sprache
Englisch
Anmerkungen
Ill., graph. Darst.
Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 2013 (Nicht für den Austausch)

Schlagwort
High-k Metal-Gate-Technik, High-k-Dielektrikum, CMOS, Silicium, MOS-FET

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Letzte Aktualisierung
11.06.2025, 14:22 MESZ

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