Hochschulschrift
Herstellung und Charakterisierung von high-k Metal-Gate CMOS Transistoren
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
München, Univ. der Bundeswehr, Diss., 2012
- Klassifikation
-
Elektrotechnik, Elektronik
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Neubiberg
- (wer)
-
Universitätsbibliothek der Universität der Bundeswehr
- (wann)
-
2013
- Urheber
-
Biba, Josef
- Beteiligte Personen und Organisationen
-
Hansch, Walter
Schulze, Jörg
- URN
-
urn:nbn:de:bvb:706-3034
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
- 14.08.2025, 10:45 MESZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Biba, Josef
- Hansch, Walter
- Schulze, Jörg
- Universitätsbibliothek der Universität der Bundeswehr
Entstanden
- 2013
Ähnliche Objekte (12)
Herstellung und Charakterisierung von high-k Metal-Gate CMOS-Transistoren
Metal gate development for nano-CMOS technologies
Vertikale und laterale Diffusion von Dotierstoffen in sub-μm-Gate-Schichten [sub-mym-Gate-Schichten] von CMOS-Transistoren
Organic nano-floating-gate transistor memory with metal nanoparticles
Der Floating-Gate-Transistor
Modulating Thin Film Transistor Characteristics by Texturing the Gate Metal
Single-crystalline metal-oxide dielectrics for top-gate 2D transistors
High-k gate dielectrics for CMOS technology
Field effect transistor based CMOS stress sensors
Verspannungstechniken zur Leistungssteigerung von SOI-CMOS-Transistoren
Verspannungstechniken zur Leistungssteigerung von SOI-CMOS-Transistoren
Publisher Correction: Single-crystalline metal-oxide dielectrics for top-gate 2D transistors
Herstellung und Charakterisierung von high-k Metal-Gate CMOS-Transistoren
Metal gate development for nano-CMOS technologies
Vertikale und laterale Diffusion von Dotierstoffen in sub-μm-Gate-Schichten [sub-mym-Gate-Schichten] von CMOS-Transistoren
Organic nano-floating-gate transistor memory with metal nanoparticles
Der Floating-Gate-Transistor
Modulating Thin Film Transistor Characteristics by Texturing the Gate Metal
Single-crystalline metal-oxide dielectrics for top-gate 2D transistors
High-k gate dielectrics for CMOS technology
Field effect transistor based CMOS stress sensors
Verspannungstechniken zur Leistungssteigerung von SOI-CMOS-Transistoren
Verspannungstechniken zur Leistungssteigerung von SOI-CMOS-Transistoren
Publisher Correction: Single-crystalline metal-oxide dielectrics for top-gate 2D transistors
Herstellung und Charakterisierung von high-k Metal-Gate CMOS-Transistoren
Metal gate development for nano-CMOS technologies
Vertikale und laterale Diffusion von Dotierstoffen in sub-μm-Gate-Schichten [sub-mym-Gate-Schichten] von CMOS-Transistoren
Organic nano-floating-gate transistor memory with metal nanoparticles
Der Floating-Gate-Transistor
Modulating Thin Film Transistor Characteristics by Texturing the Gate Metal
Single-crystalline metal-oxide dielectrics for top-gate 2D transistors
High-k gate dielectrics for CMOS technology
Field effect transistor based CMOS stress sensors
Verspannungstechniken zur Leistungssteigerung von SOI-CMOS-Transistoren
Verspannungstechniken zur Leistungssteigerung von SOI-CMOS-Transistoren