Hochschulschrift

Vertikale und laterale Diffusion von Dotierstoffen in sub-μm-Gate-Schichten [sub-mym-Gate-Schichten] von CMOS-Transistoren

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Maße
30 cm
Umfang
XII, 161 S.
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
Ill., graph. Darst.
Regensburg, Univ., Diss., 1998

Schlagwort
CMOS-Schaltung
Silicium-Gate-Technologie
Polykristall
Titansilicide
Dotierung
Diffusion

Urheber
Berthold, Adrian

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Rechteinformation
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Letzte Aktualisierung
11.06.2025, 13:48 MESZ

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Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

  • Berthold, Adrian

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