Hochschulschrift
Wirkung des Ladungsträgerplasmas auf das Abschaltverhalten von Insulated-Gate-Bipolar-Transistoren
- Location
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Dimensions
-
31 cm
- Extent
-
XVI, 122 Bl.
- Language
-
Deutsch
- Notes
-
graph. Darst.
Rostock, Univ., Diss., 2014
- Classification
-
Elektrotechnik, Elektronik
- Creator
- Table of contents
- Rights
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Last update
-
11.06.2025, 1:36 PM CEST
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Object type
- Hochschulschrift
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Netzwerksimulation des Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
Geregelte Ansteuerung von insulated gate bipolar Transistoren (IGBT)
Beanspruchungen von Insulated-Gate-Bipolar-Transistoren in Pulsumrichtern
Massnahmen zur Verbesserung der Schalteigenschaften von Insulated-Gate-Bipolar-Transistoren
Insulated Gate Bipolar Transistoren : Modellierung zur Schaltungssimulation und Anwendung in Pulswechselrichtern
Leistungsarme Ansteuerschaltungen für insulated gate bipolar transistors (IGBT) und deren Energieversorgung
Turbogenerator mit Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)-Umrichter zur dezentralen Energieversorgung
Transistor dictionary : bipolar transistors ; Datenvergleichstabellen Michael Welter
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Beitrag zur Analyse des elektrischen Verhaltens von hochsperrenden rückwärts leitfähigen Insulated Gate Bipolar Transistoren
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