Hochschulschrift

Beitrag zur Analyse des elektrischen Verhaltens von hoch-sperrenden rückwärts leitfähigen Insulated Gate Bipolar Transistoren

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Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
Rostock, Universität Rostock. Fakultät für Informatik und Elektrotechnik, Dissertation, 2015

Klassifikation
Elektrotechnik, Elektronik
Schlagwort
IGBT
Schaltverhalten

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Rostock
(wer)
Universität Rostock
(wann)
2015
Urheber
Beteiligte Personen und Organisationen
Eckel, Hans-Günter
Lutz, Josef
Krafft, Eberhard Ulrich

DOI
10.18453/rosdok_id00001609
URN
urn:nbn:de:gbv:28-diss2015-0159-9
Rechteinformation
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
25.03.2025, 13:47 MEZ

Datenpartner

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Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

  • Wigger, Daniel
  • Eckel, Hans-Günter
  • Lutz, Josef
  • Krafft, Eberhard Ulrich
  • Universität Rostock

Entstanden

  • 2015

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