Hochschulschrift

Beitrag zur Analyse des elektrischen Verhaltens von hoch-sperrenden rückwärts leitfähigen Insulated Gate Bipolar Transistoren

Location
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Extent
Online-Ressource
Language
Deutsch
Notes
Rostock, Universität Rostock. Fakultät für Informatik und Elektrotechnik, Dissertation, 2015

Classification
Elektrotechnik, Elektronik
Keyword
IGBT
Schaltverhalten

Event
Veröffentlichung
(where)
Rostock
(who)
Universität Rostock
(when)
2015
Creator
Contributor
Eckel, Hans-Günter
Lutz, Josef
Krafft, Eberhard Ulrich

DOI
10.18453/rosdok_id00001609
URN
urn:nbn:de:gbv:28-diss2015-0159-9
Rights
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Last update
25.03.2025, 1:47 PM CET

Data provider

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Object type

  • Hochschulschrift

Associated

  • Wigger, Daniel
  • Eckel, Hans-Günter
  • Lutz, Josef
  • Krafft, Eberhard Ulrich
  • Universität Rostock

Time of origin

  • 2015

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