Hochschulschrift
Entwurf und numerische Analyse von Halbleiterstrukturen für den Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
- Location
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Dimensions
-
21 cm
- Extent
-
169 S.
- Language
-
Deutsch
- Notes
-
graph. Darst.
Erlangen, Nürnberg, Univ., Diss., 1992
- Creator
-
Fehn, Thomas
- Table of contents
- Rights
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Last update
-
11.06.2025, 1:39 PM CEST
Data provider
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Object type
- Hochschulschrift
Associated
- Fehn, Thomas
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