Hochschulschrift
In-Plane-Gate-Transistoren in pseudomorphen Halbleiterstrukturen
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
VIII, 166 S.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Ill., graph. Darst.
Bochum, Univ., Diss., 1995
- Schlagwort
-
Galliumarsenid
Aluminiumarsenid
Heterostruktur
Ionenimplantation
Transistor
Gate
- Urheber
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
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- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 14:28 MESZ
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Objekttyp
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