Hochschulschrift
In-Plane-Gate-Transistoren in pseudomorphen Halbleiterstrukturen
- Location
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Dimensions
-
21 cm
- Extent
-
VIII, 166 S.
- Language
-
Deutsch
- Notes
-
Ill., graph. Darst.
Bochum, Univ., Diss., 1995
- Keyword
-
Galliumarsenid
Aluminiumarsenid
Heterostruktur
Ionenimplantation
Transistor
Gate
- Creator
- Table of contents
- Rights
-
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- Last update
-
11.06.2025, 2:28 PM CEST
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Object type
- Hochschulschrift
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