Hochschulschrift
Wirkung des Ladungsträgerplasmas auf das Abschaltverhalten von Insulated Gate Bipolar Transistoren
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Rostock, Universität Rostock. Fakultät für Informatik und Elektrotechnik, Dissertation, 2014
- Klassifikation
-
Elektrotechnik, Elektronik
- Schlagwort
-
IGBT
Simulation
Ausschaltverhalten
Leistungshalbleiter
Schaltvorgang
Ansteuerung
Hochspannungsleistungsschalter
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Rostock
- (wer)
-
Universität Rostock
- (wann)
-
2014
- Urheber
- Beteiligte Personen und Organisationen
- DOI
-
10.18453/rosdok_id00001314
- URN
-
urn:nbn:de:gbv:28-diss2014-0066-4
- Rechteinformation
-
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
25.03.2025, 13:43 MEZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Böhmer, Jürgen Walter
- Eckel, Hans-Günter
- Lutz, Josef
- Krafft, Eberhard Ulrich
- Universität Rostock
Entstanden
- 2014
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