Hochschulschrift
Wirkung des Ladungsträgerplasmas auf das Abschaltverhalten von Insulated Gate Bipolar Transistoren
- Location
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Extent
-
Online-Ressource
- Language
-
Deutsch
- Notes
-
Rostock, Universität Rostock. Fakultät für Informatik und Elektrotechnik, Dissertation, 2014
- Classification
-
Elektrotechnik, Elektronik
- Keyword
-
IGBT
Simulation
Ausschaltverhalten
Leistungshalbleiter
Schaltvorgang
Ansteuerung
Hochspannungsleistungsschalter
- Event
-
Veröffentlichung
- (where)
-
Rostock
- (who)
-
Universität Rostock
- (when)
-
2014
- Creator
- Contributor
- DOI
-
10.18453/rosdok_id00001314
- URN
-
urn:nbn:de:gbv:28-diss2014-0066-4
- Rights
-
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Last update
-
25.03.2025, 1:43 PM CET
Data provider
This object is provided by:
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Object type
- Hochschulschrift
Associated
- Böhmer, Jürgen Walter
- Eckel, Hans-Günter
- Lutz, Josef
- Krafft, Eberhard Ulrich
- Universität Rostock
Time of origin
- 2014
Other Objects (12)
Beitrag zur Analyse des elektrischen Verhaltens von hoch-sperrenden rückwärts leitfähigen Insulated Gate Bipolar Transistoren
Netzwerksimulation des Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
Wirkung des Ladungsträgerplasmas auf das Abschaltverhalten von Insulated-Gate-Bipolar-Transistoren
Geregelte Ansteuerung von insulated gate bipolar Transistoren (IGBT)
Beanspruchungen von Insulated-Gate-Bipolar-Transistoren in Pulsumrichtern
Massnahmen zur Verbesserung der Schalteigenschaften von Insulated-Gate-Bipolar-Transistoren
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