Hochschulschrift
Beitrag zur Analyse des elektrischen Verhaltens von hochsperrenden rückwärts leitfähigen Insulated Gate Bipolar Transistoren
- Weitere Titel
-
Bipolar-Transistoren
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
30 cm
- Umfang
-
XXIII, 133 Blätter
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Illustrationen
Universität Rostock, Dissertation, 2015
- Klassifikation
-
Elektrotechnik, Elektronik
- Urheber
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 13:45 MESZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
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