Hochschulschrift
Untersuchung der tiefen Störstelle Vanadium in semi-isolierendem 4H- und 6H-SiC mittels des Spektralen Lochbrennens
- Location
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Dimensions
-
21 cm
- Extent
-
97 S.
- Language
-
Deutsch
- Notes
-
graph. Darst.
Erlangen, Nürnberg, Univ., Diss., 1998
- Keyword
-
Siliciumcarbid
Vanadium
Tiefe Störstelle
Spektrales Lochbrennen
- Creator
- Table of contents
- Rights
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Last update
-
11.03.2025, 11:46 AM CET
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Object type
- Hochschulschrift
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