Archivale
Bericht zur Zwischenverteidigung V 5: "NBT (Neue Basistechnologie) Mehrschichtepitaxie MET (Multi-Epitaxie-Technik) Z (Zyklus) I"
Enthält u. a.: Tabellen.
- Reference number
-
Brandenburgisches Landeshauptarchiv (BLHA), 504 Mikroel Stdf 112
- Holding
-
504 Mikroel Stdf Rep. 504 VEB Mikroelektronik "Karl Liebknecht" Stahnsdorf
- Context
-
Rep. 504 VEB Mikroelektronik "Karl Liebknecht" Stahnsdorf >> Verfahren >> Epitaxie
Date of creation
1984
- Other object pages
- Last update
-
26.10.2023, 11:40 AM CEST
Object type
- Archivale
Time of origin
- 1984
Other Objects (12)
V 5 - Bericht: "Glaspassivierung - MET (Multi-Epitaxi-Technik)"
V 5 - Abschlussbericht: "Ausbeutesteigerung MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
V 5 - Themenbericht: "Si (Silizium)-Epitaxie für MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
V 2 - Themenbericht: "Si (Silizium)-Epitaxie für MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
A 4 - Abschlussbericht: "Spezielle Probleme der Siliziumepitaxie"
Jahreszwischenbericht für 1970: "Epitaxie von A III - B V - Verbindungen". Teilthema 1: "Herstellung von GaAs (Galliumarsenid)-Epitaxieschichten und epitaktischen Mischschichten vom A III - B V - Typen"
V 1- Themenbericht: "Si (Silizium)-Epitaxie für MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
Bericht zur Zwischenverteidigung V 2: "NBT (Neue Basistechnologie) Mehrschichtepitaxie MET (Multi-Epitaxie-Technik) Z (Zyklus) I"
A 4 - Bericht: "Verfahrenscharakterisierung III"
V 5 - Bericht: "Epitaxie für 76 mm - Scheibe MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
Anlage 2 A: "Montage- und Bedienungsvorschriften der Epitaxieanlage EA 1"
A 4 - Abschlussbericht: "Silanepitaxie für I^2 L[-Technologie]"
V 5 - Bericht: "Glaspassivierung - MET (Multi-Epitaxi-Technik)"
V 5 - Abschlussbericht: "Ausbeutesteigerung MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
V 5 - Themenbericht: "Si (Silizium)-Epitaxie für MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
V 2 - Themenbericht: "Si (Silizium)-Epitaxie für MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
A 4 - Abschlussbericht: "Spezielle Probleme der Siliziumepitaxie"
Jahreszwischenbericht für 1970: "Epitaxie von A III - B V - Verbindungen". Teilthema 1: "Herstellung von GaAs (Galliumarsenid)-Epitaxieschichten und epitaktischen Mischschichten vom A III - B V - Typen"
V 1- Themenbericht: "Si (Silizium)-Epitaxie für MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
Bericht zur Zwischenverteidigung V 2: "NBT (Neue Basistechnologie) Mehrschichtepitaxie MET (Multi-Epitaxie-Technik) Z (Zyklus) I"
A 4 - Bericht: "Verfahrenscharakterisierung III"
V 5 - Bericht: "Epitaxie für 76 mm - Scheibe MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
Anlage 2 A: "Montage- und Bedienungsvorschriften der Epitaxieanlage EA 1"
A 4 - Abschlussbericht: "Silanepitaxie für I^2 L[-Technologie]"
V 5 - Bericht: "Glaspassivierung - MET (Multi-Epitaxi-Technik)"
V 5 - Abschlussbericht: "Ausbeutesteigerung MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
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