Archivale
Anlage 2 A: "Montage- und Bedienungsvorschriften der Epitaxieanlage EA 1"
Enthält u. a.: Schaltpläne. - Fotos.
- Archivaliensignatur
-
Brandenburgisches Landeshauptarchiv (BLHA), 504 Mikroel Stdf 22
- Bestand
-
504 Mikroel Stdf Rep. 504 VEB Mikroelektronik "Karl Liebknecht" Stahnsdorf
- Kontext
-
Rep. 504 VEB Mikroelektronik "Karl Liebknecht" Stahnsdorf >> Verfahren >> Epitaxie
Laufzeit
1973
- Weitere Objektseiten
- Letzte Aktualisierung
-
26.10.2023, 11:44 MESZ
Objekttyp
- Archivale
Entstanden
- 1973
Ähnliche Objekte (12)
Jahreszwischenbericht für 1970: "Epitaxie von A III - B V - Verbindungen". Teilthema 1: "Herstellung von GaAs (Galliumarsenid)-Epitaxieschichten und epitaktischen Mischschichten vom A III - B V - Typen"
Bericht zur Zwischenverteidigung V 5: "NBT (Neue Basistechnologie) Mehrschichtepitaxie MET (Multi-Epitaxie-Technik) Z (Zyklus) I"
V 5 - Abschlussbericht: "Ausbeutesteigerung MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
V 5 - Bericht: "Glaspassivierung - MET (Multi-Epitaxi-Technik)"
V 5 - Themenbericht: "Si (Silizium)-Epitaxie für MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
A 4 - Abschlussbericht: "Silanepitaxie für I^2 L[-Technologie]"
A 4 - Abschlussbericht: "Spezielle Probleme der Siliziumepitaxie"
V 2 - Themenbericht: "Si (Silizium)-Epitaxie für MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
V 1- Themenbericht: "Si (Silizium)-Epitaxie für MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
V 2 - Bericht: "Optimierung Au/P (Gold/Phosphor)-Komplex"
Bericht zur Zwischenverteidigung V 2: "NBT (Neue Basistechnologie) Mehrschichtepitaxie MET (Multi-Epitaxie-Technik) Z (Zyklus) I"
Abschlussbericht zur Vertragsforschung: "Grenzwertuntersuchungen an Leistungsbauelementen". Teilthema des Themenkomplexes "Langzeitverhalten von Thyristoren ST 111/ 121". Auftragnehmer: Technische Universität Dresden, Sektion Elektrotechnik
Jahreszwischenbericht für 1970: "Epitaxie von A III - B V - Verbindungen". Teilthema 1: "Herstellung von GaAs (Galliumarsenid)-Epitaxieschichten und epitaktischen Mischschichten vom A III - B V - Typen"
Bericht zur Zwischenverteidigung V 5: "NBT (Neue Basistechnologie) Mehrschichtepitaxie MET (Multi-Epitaxie-Technik) Z (Zyklus) I"
V 5 - Abschlussbericht: "Ausbeutesteigerung MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
V 5 - Bericht: "Glaspassivierung - MET (Multi-Epitaxi-Technik)"
V 5 - Themenbericht: "Si (Silizium)-Epitaxie für MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
A 4 - Abschlussbericht: "Silanepitaxie für I^2 L[-Technologie]"
A 4 - Abschlussbericht: "Spezielle Probleme der Siliziumepitaxie"
V 2 - Themenbericht: "Si (Silizium)-Epitaxie für MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
V 1- Themenbericht: "Si (Silizium)-Epitaxie für MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
V 2 - Bericht: "Optimierung Au/P (Gold/Phosphor)-Komplex"
Bericht zur Zwischenverteidigung V 2: "NBT (Neue Basistechnologie) Mehrschichtepitaxie MET (Multi-Epitaxie-Technik) Z (Zyklus) I"
Abschlussbericht zur Vertragsforschung: "Grenzwertuntersuchungen an Leistungsbauelementen". Teilthema des Themenkomplexes "Langzeitverhalten von Thyristoren ST 111/ 121". Auftragnehmer: Technische Universität Dresden, Sektion Elektrotechnik
Jahreszwischenbericht für 1970: "Epitaxie von A III - B V - Verbindungen". Teilthema 1: "Herstellung von GaAs (Galliumarsenid)-Epitaxieschichten und epitaktischen Mischschichten vom A III - B V - Typen"
Bericht zur Zwischenverteidigung V 5: "NBT (Neue Basistechnologie) Mehrschichtepitaxie MET (Multi-Epitaxie-Technik) Z (Zyklus) I"
V 5 - Abschlussbericht: "Ausbeutesteigerung MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
V 5 - Bericht: "Glaspassivierung - MET (Multi-Epitaxi-Technik)"
V 5 - Themenbericht: "Si (Silizium)-Epitaxie für MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
A 4 - Abschlussbericht: "Silanepitaxie für I^2 L[-Technologie]"
A 4 - Abschlussbericht: "Spezielle Probleme der Siliziumepitaxie"
V 2 - Themenbericht: "Si (Silizium)-Epitaxie für MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
V 1- Themenbericht: "Si (Silizium)-Epitaxie für MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
V 2 - Bericht: "Optimierung Au/P (Gold/Phosphor)-Komplex"
Bericht zur Zwischenverteidigung V 2: "NBT (Neue Basistechnologie) Mehrschichtepitaxie MET (Multi-Epitaxie-Technik) Z (Zyklus) I"