Archivale
V 1- Themenbericht: "Si (Silizium)-Epitaxie für MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
Enthält u. a.: Verfahrenstechnische Entwicklung des Teilschrittes Epitaxie innerhalb der neuen Basistechnologie Multi-Epitaxie-Technik für Leistungstransistoren. - Diagramme.
- Archivaliensignatur
-
504 Mikroel Stdf 49
- Kontext
-
Rep. 504 VEB Mikroelektronik "Karl Liebknecht" Stahnsdorf >> Verfahren >> Epitaxie
- Bestand
-
504 Mikroel Stdf (82315) Rep. 504 VEB Mikroelektronik "Karl Liebknecht" Stahnsdorf
- Laufzeit
-
1982-1983
- Weitere Objektseiten
- Letzte Aktualisierung
-
07.04.2025, 11:31 MESZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Brandenburgisches Landeshauptarchiv. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Brandenburgisches Landeshauptarchiv. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Objekttyp
- Archivale
Entstanden
- 1982-1983
Ähnliche Objekte (12)
V 2 - Themenbericht: "Si (Silizium)-Epitaxie für MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
V 5 - Themenbericht: "Si (Silizium)-Epitaxie für MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
V 5 - Bericht: "Epitaxie für 76 mm - Scheibe MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
V 5 - Abschlussbericht: "Ausbeutesteigerung MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
V 2 - Bericht: "Glaspassivierung - MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
Lokale Epitaxie für die Silizium-Nanoelektronik
Abschlussbericht: "Physikalisches Messverfahren zur Prozesskontrolle - MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
Fertigungsgerechte III-V-Epitaxie [Drei-fünf-Epitaxie]
Laser-induzierte Epitaxie und Defektnukleation in Silizium
Silizium-Epitaxie aus Molekularströmen in verdünnter Wasserstoffatmosphäre
Forschungsbericht: GEC - Epitaxie
Forschungsbericht: GEC - Epitaxie
V 2 - Themenbericht: "Si (Silizium)-Epitaxie für MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
V 5 - Themenbericht: "Si (Silizium)-Epitaxie für MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
V 5 - Bericht: "Epitaxie für 76 mm - Scheibe MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
V 5 - Abschlussbericht: "Ausbeutesteigerung MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
V 2 - Bericht: "Glaspassivierung - MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
Lokale Epitaxie für die Silizium-Nanoelektronik
Abschlussbericht: "Physikalisches Messverfahren zur Prozesskontrolle - MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
Fertigungsgerechte III-V-Epitaxie [Drei-fünf-Epitaxie]
Laser-induzierte Epitaxie und Defektnukleation in Silizium
Silizium-Epitaxie aus Molekularströmen in verdünnter Wasserstoffatmosphäre
Forschungsbericht: GEC - Epitaxie
Forschungsbericht: GEC - Epitaxie
V 2 - Themenbericht: "Si (Silizium)-Epitaxie für MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
V 5 - Themenbericht: "Si (Silizium)-Epitaxie für MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
V 5 - Bericht: "Epitaxie für 76 mm - Scheibe MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
V 5 - Abschlussbericht: "Ausbeutesteigerung MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
V 2 - Bericht: "Glaspassivierung - MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
Lokale Epitaxie für die Silizium-Nanoelektronik
Abschlussbericht: "Physikalisches Messverfahren zur Prozesskontrolle - MET (Multi-Epitaxie-Technik)"
Fertigungsgerechte III-V-Epitaxie [Drei-fünf-Epitaxie]
Laser-induzierte Epitaxie und Defektnukleation in Silizium
Silizium-Epitaxie aus Molekularströmen in verdünnter Wasserstoffatmosphäre
Forschungsbericht: GEC - Epitaxie