Next Generation Ferroelectric Memories enabled by Hafnium Oxide

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Englisch
Anmerkungen
In: IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM). San Francisco, 07.-11.12.2019

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Dresden
(wer)
Technische Universität Dresden
(wann)
2022
Urheber
Mikolajick, T.
Schroeder, U.
Lomenzo, P. D.
Breyer, E. T.
Mulaosmanovic, H.
Hoffmann, M.
Mittmann, T.
Mehmood, F.
Max, B.
Slesazeck, S.

URN
urn:nbn:de:bsz:14-qucosa2-796869
Rechteinformation
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
15.08.2025, 07:27 MESZ

Datenpartner

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Beteiligte

  • Mikolajick, T.
  • Schroeder, U.
  • Lomenzo, P. D.
  • Breyer, E. T.
  • Mulaosmanovic, H.
  • Hoffmann, M.
  • Mittmann, T.
  • Mehmood, F.
  • Max, B.
  • Slesazeck, S.
  • Technische Universität Dresden

Entstanden

  • 2022

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