- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
-
9783540663874
3540663878
- Maße
-
24 cm
- Umfang
-
XVI, 248 S.
- Sprache
-
Englisch
- Anmerkungen
-
Ill., graph. Darst.
Literaturverz. S. 225 - 243
- Erschienen in
-
Advanced microelectronics ; 3
- Schlagwort
-
Speicherzelle
Ferroelektrizität
Speicherzelle
Ferroelektrikum
Dünne Schicht
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Berlin, Heidelberg, New York, Barcelona, Hong Kong, London, Milan, Paris, Singapore, Tokyo
- (wer)
-
Springer
- (wann)
-
2000
- Urheber
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 14:06 MESZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
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Objekttyp
- Lehrbuch
Beteiligte
- Scott, James F.
- Springer
Entstanden
- 2000
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