Variants of Ferroelectric Hafnium Oxide based Nonvolatile Memories

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Englisch
Anmerkungen
In: 2019 Device Research Conference (DRC), Herausgeber: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), Erscheinungsort: New York, NY, Verlag: IEEE, Erscheinungsjahr: 2020, Seiten: 207-208, ISBN: 978-1-72812-112-3

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Dresden
(wer)
Technische Universität Dresden
(wann)
2022
Urheber
Mikolajick, T.
Mulaosmanovic, H.
Hoffmann, M.
Max, B.
Mittmann, T.
Schroeder, U.
Slesazeck, S.

URN
urn:nbn:de:bsz:14-qucosa2-775772
Rechteinformation
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
15.08.2025, 07:26 MESZ

Datenpartner

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Beteiligte

  • Mikolajick, T.
  • Mulaosmanovic, H.
  • Hoffmann, M.
  • Max, B.
  • Mittmann, T.
  • Schroeder, U.
  • Slesazeck, S.
  • Technische Universität Dresden

Entstanden

  • 2022

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