Impact of crystalline defects in 4H-SiC epitaxial layers on the electrical characteristics and blocking capability of SiC power devices
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Englisch
- Erschienen in
-
In: Materials Research Express 9.12 (2022): 125901.
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Erlangen
- (wer)
-
Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU)
- (wann)
-
2022
- Urheber
-
Kodolitsch, E.
Sodan, V.
Krieger, M.
Weber, Heiko B.
Tsavdaris, N.
- DOI
-
10.1088/2053-1591/acaa1f
- URN
-
urn:nbn:de:bvb:29-opus4-212875
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
25.03.2025, 13:41 MEZ
Datenpartner
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Beteiligte
- Kodolitsch, E.
- Sodan, V.
- Krieger, M.
- Weber, Heiko B.
- Tsavdaris, N.
- Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU)
Entstanden
- 2022
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