- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
VIII, 162 S.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Ill., graph. Darst.
München, Univ. der Bundeswehr, Diss., 2000
- Schlagwort
-
Gate-Oxid
Siliciumdioxid
MOS-FET
Gate-Oxid
Titandioxid
MOS-FET
- Urheber
-
Pompl, Thomas
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 13:50 MESZ
Datenpartner
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Pompl, Thomas
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