Hochschulschrift

Quantum effects in MOS devices

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
ISBN
9783896495662
3896495666
Maße
21 cm
Umfang
XX, 131 S.
Ausgabe
1. Aufl.
Sprache
Englisch
Anmerkungen
graph. Darst.
Zugl.: Zürich, Eidgenössische Techn. Hochsch., Diss., 2000

Erschienen in
Series in microelectronics ; Vol. 94

Schlagwort
MOS-FET
Quanteneffekt
Schrödinger-Gleichung
Drift-Diffusions-Modell

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Konstanz
(wer)
Hartung-Gorre
(wann)
2000
Urheber

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Rechteinformation
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Letzte Aktualisierung
30.01.0030, 13:02 MEZ

Datenpartner

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Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

Entstanden

  • 2000

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