Hochschulschrift
GaN-based high electron mobility transistors with high Al-content barriers
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
-
9783839613405
383961340X
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
114, xxxvi Seiten
- Sprache
-
Englisch
- Anmerkungen
-
Illustrationen
Universität Freiburg, Dissertation, 2018
- Erschienen in
-
Science for systems ; Band 36
- Klassifikation
-
Physik
Elektrotechnik, Elektronik
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Stuttgart
- (wer)
-
Fraunhofer Verlag
- (wann)
-
[2018]
- Urheber
-
Godejohann, Birte-Julia
- Beteiligte Personen und Organisationen
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 14:01 MESZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Godejohann, Birte-Julia
- Ambacher, Oliver
- Fraunhofer IAF, Freiburg
- Fraunhofer IRB-Verlag
- Fraunhofer Verlag
Entstanden
- [2018]
Ähnliche Objekte (12)
GaN-based Tri-gate high electron mobility transistors
Design of millimeter-wave power amplifiers in gallium nitride high-electron-mobility transistor technology
Small-signal and noise modeling of high-electron-mobility transistors for use in quantum technologies
Ion implantation for high-efficiency silicon solar cells
Carrier-selective contacts for high-efficiency Si solar cells
Soziale Netzwerke bewusst nutzen : ein Dossier zu Datenschutz, Privatsphärenschutz und Unternehmenssicherheit
Aluminum oxide for the surface passivation of high efficiency silicon solar cells : technology and advanced characterization
High-resolution analysis of perovskite absorbers in photovoltaics
Surface analysis for high efficiency silicon solar cells
Comparative study of organic, inorganic and hybrid gate-dielectrics for organic field-effect transistors using semiconducting liquid-crystal polymers
Micromechanical indentation study of stress related effects in transistor channels
Passivating dopant sources for high-efficiency n-type silicon solar cells
GaN-based Tri-gate high electron mobility transistors
Design of millimeter-wave power amplifiers in gallium nitride high-electron-mobility transistor technology
Small-signal and noise modeling of high-electron-mobility transistors for use in quantum technologies
Ion implantation for high-efficiency silicon solar cells
Carrier-selective contacts for high-efficiency Si solar cells
Soziale Netzwerke bewusst nutzen : ein Dossier zu Datenschutz, Privatsphärenschutz und Unternehmenssicherheit
Aluminum oxide for the surface passivation of high efficiency silicon solar cells : technology and advanced characterization
High-resolution analysis of perovskite absorbers in photovoltaics
Surface analysis for high efficiency silicon solar cells
Comparative study of organic, inorganic and hybrid gate-dielectrics for organic field-effect transistors using semiconducting liquid-crystal polymers
Micromechanical indentation study of stress related effects in transistor channels
Passivating dopant sources for high-efficiency n-type silicon solar cells
GaN-based Tri-gate high electron mobility transistors
Design of millimeter-wave power amplifiers in gallium nitride high-electron-mobility transistor technology
Small-signal and noise modeling of high-electron-mobility transistors for use in quantum technologies
Ion implantation for high-efficiency silicon solar cells
Carrier-selective contacts for high-efficiency Si solar cells
Soziale Netzwerke bewusst nutzen : ein Dossier zu Datenschutz, Privatsphärenschutz und Unternehmenssicherheit
Aluminum oxide for the surface passivation of high efficiency silicon solar cells : technology and advanced characterization
High-resolution analysis of perovskite absorbers in photovoltaics
Surface analysis for high efficiency silicon solar cells
Comparative study of organic, inorganic and hybrid gate-dielectrics for organic field-effect transistors using semiconducting liquid-crystal polymers
Micromechanical indentation study of stress related effects in transistor channels