Hochschulschrift
Niedertemperatur-Gallium-Arsenid-Hetero-Feld-Effekt-Transistor
- Location
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
-
9783183244096
3183244098
- Dimensions
-
21 cm
- Extent
-
XI, 109 S.
- Edition
-
Als Ms. gedr.
- Language
-
Deutsch
- Notes
-
Ill., graph. Darst.
Zugl.: Ulm, Univ., Diss., 1996
- Bibliographic citation
-
Fortschrittberichte VDI / 9 / Verein Deutscher Ingenieure ; Nr. 244, Reihe 9
- Keyword
-
Galliumarsenid-Feldeffekttransistor
Heterostruktur-Bauelement
Molekularstrahlepitaxie
- Table of contents
- Rights
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Last update
-
11.06.2025, 1:50 PM CEST
Data provider
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Object type
- Hochschulschrift
Associated
- Lipka, Klaus-Michael
- VDI-Verl.
Time of origin
- 1997
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