Hochschulschrift
Silizium-Germanium-Hetero-Bipolar-Transistoren für die Hochfrequenz : Technologie + Simulation
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
-
9783832215286
383221528X
- Maße
-
21 cm, 231 gr.
- Umfang
-
II, 139 S.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Ill., graph. Darst.
Zugl.: Stuttgart, Univ., Diss., 2003
- Schlagwort
-
Hochfrequenztransistor
Heterobipolartransistor
Silicium
Germanium
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Aachen
- (wer)
-
Shaker***5100500
- (wann)
-
2003
- Urheber
-
Eberhardt, Jochen
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 14:13 MESZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Eberhardt, Jochen
- Shaker***5100500
Entstanden
- 2003
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