Hochschulschrift
Gallium nitride based transistors for high-efficiency microwave switch-mode amplifiers
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
-
9783839604878
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
VI, 184 S.
- Sprache
-
Englisch
- Anmerkungen
-
Ill., graph. Darst.
Zugl.: Freiburg (Breisgau), Univ., Diss., 2012
- Erschienen in
-
Science for systems ; No. 9
- Klassifikation
-
Elektrotechnik, Elektronik
- Schlagwort
-
Schaltverstärker
Mikrowellenverstärker
Leistungsverstärker
Galliumnitrid
HEMT
Schaltungsentwurf
Basisstation
Energieeffizienz
Galliumnitrid ; Schaltverstärker ; HEMT ; Basisstation ; Mobilfunk ; Leistungsverstärker
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Stuttgart
- (wer)
-
Fraunhofer-Verl.
- (wann)
-
2012
- Urheber
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 14:29 MESZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Maroldt, Stephan
- Fraunhofer-Verl.
Entstanden
- 2012
Ähnliche Objekte (12)
Gallium nitride based transistors for high-efficiency microwave switch-mode amplifiers
Broadband concepts for high efficiency microwave power amplifiers using Gallium nitride technology
Gallium nitride electronics
Design of millimeter-wave power amplifiers in gallium nitride high-electron-mobility transistor technology
Technology of gallium nitride crystal growth
Micro-System: Gallium Nitride RF-Broad-Band High-Power Amplifier : = Mikrosystem: Gallium Nitride HF Breitband Hochleistungsverstärker
Distortion in microwave class-S power amplifiers
Structural characterization of ion implanted gallium nitride
Indium gallium nitride nanostructures for optoelectronic applications
Bandwidth considerations of high efficiency microwave power amplifiers
Vertical Gallium Nitride Power Devices : Fabrication and Characterisation
Normally-off transistor topologies in gallium nitride technology
Gallium nitride based transistors for high-efficiency microwave switch-mode amplifiers
Broadband concepts for high efficiency microwave power amplifiers using Gallium nitride technology
Gallium nitride electronics
Design of millimeter-wave power amplifiers in gallium nitride high-electron-mobility transistor technology
Technology of gallium nitride crystal growth
Micro-System: Gallium Nitride RF-Broad-Band High-Power Amplifier : = Mikrosystem: Gallium Nitride HF Breitband Hochleistungsverstärker
Distortion in microwave class-S power amplifiers
Structural characterization of ion implanted gallium nitride
Indium gallium nitride nanostructures for optoelectronic applications
Bandwidth considerations of high efficiency microwave power amplifiers
Vertical Gallium Nitride Power Devices : Fabrication and Characterisation
Normally-off transistor topologies in gallium nitride technology
Gallium nitride based transistors for high-efficiency microwave switch-mode amplifiers
Broadband concepts for high efficiency microwave power amplifiers using Gallium nitride technology
Gallium nitride electronics
Design of millimeter-wave power amplifiers in gallium nitride high-electron-mobility transistor technology
Technology of gallium nitride crystal growth
Micro-System: Gallium Nitride RF-Broad-Band High-Power Amplifier : = Mikrosystem: Gallium Nitride HF Breitband Hochleistungsverstärker
Distortion in microwave class-S power amplifiers
Structural characterization of ion implanted gallium nitride
Indium gallium nitride nanostructures for optoelectronic applications
Bandwidth considerations of high efficiency microwave power amplifiers
Vertical Gallium Nitride Power Devices : Fabrication and Characterisation