Hochschulschrift

Niedertemperatur-Gallium-Arsenid-Hetero-Feld-Effekt-Transistor

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Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
ISBN
9783183244096
3183244098
Maße
21 cm
Umfang
XI, 109 S.
Ausgabe
Als Ms. gedr.
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
Ill., graph. Darst.
Zugl.: Ulm, Univ., Diss., 1996

Erschienen in
Fortschrittberichte VDI / 9 / Verein Deutscher Ingenieure ; Nr. 244, Reihe 9

Schlagwort
Galliumarsenid-Feldeffekttransistor
Heterostruktur-Bauelement
Molekularstrahlepitaxie

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Düsseldorf
(wer)
VDI-Verl.
(wann)
1997
Urheber

Inhaltsverzeichnis
Rechteinformation
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Letzte Aktualisierung
11.06.2025, 13:50 MESZ

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Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

Entstanden

  • 1997

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