Hochschulschrift | Online-Publikation
Charakterisierung des Relaxationsverhaltens von Si1-xGex/Si(001)-Schichten mittels Röntgentopographie
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Berlin, Humboldt-Univ., Diss., 2001
- Schlagwort
-
Germanium
Silicium
Mischkristall
Epitaxieschicht
Silicium
Halbleitersubstrat
Epitaxieschicht
Schichtwachstum
Versetzung
Röntgentopographie
- Urheber
-
Pfeiffer, Jens-Uwe
- URN
-
urn:nbn:de:kobv:11-10017975
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
15.08.2025, 07:38 MESZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
- Online-Publikation
Beteiligte
- Pfeiffer, Jens-Uwe
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