Monografie
Charakterisierung des Relaxationsverhaltens von Si1-xGex/Si(001)-Schichten mittels Röntgentopographie
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Berlin, Humboldt-Univ., Diss., 2001
- Identifier
-
965816303
Thema
Germanium ; Mischkristall ; Silicium ; Halbleitersubstrat ; Epitaxieschicht ; Schichtwachstum ; Versetzung ; Röntgentopographie ; Hochschulschrift; Online-Publikation
Beteiligte Personen und Organisationen
Pfeiffer, Jens-Uwe
- URN
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
26.01.2023, 13:52 MEZ
Objekttyp
- Monografie
Beteiligte
- Pfeiffer, Jens-Uwe
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