Hochschulschrift | Online-Publikation
Charakterisierung des Relaxationsverhaltens von Si1-xGex/Si(001)-Schichten mittels Röntgentopographie
- Location
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Language
-
Deutsch
- Notes
-
Berlin, Humboldt-Univ., Diss., 2001
- Keyword
-
Germanium
Silicium
Mischkristall
Epitaxieschicht
Silicium
Halbleitersubstrat
Epitaxieschicht
Schichtwachstum
Versetzung
Röntgentopographie
- Creator
-
Pfeiffer, Jens-Uwe
- URN
-
urn:nbn:de:kobv:11-10017975
- Rights
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Last update
-
25.03.2025, 1:45 PM CET
Data provider
This object is provided by:
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Object type
- Hochschulschrift
- Online-Publikation
Associated
- Pfeiffer, Jens-Uwe
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