Hochschulschrift
Modellierung und Optimierung von Höchstfrequenz-Si- und Si-Si1_346xGex-Bipolartransistoren
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
30 cm
- Umfang
-
XVI, 138 S.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Ill., graph. Darst.
Regensburg, Univ., Diss., 1999
- Schlagwort
-
Bipolartransistor
Hochfrequenztransistor
Siliciumbauelement
Heterobipolartransistor
Hochfrequenztransistor
Silicium
Germanium
- Urheber
-
Pohl, Martin
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 14:10 MESZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Pohl, Martin
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