Hochschulschrift
Charakterisierung des Relaxationsverhaltens von Si1-xGex/Si(001)-Schichten mittels Röntgentopographie
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
30 cm
- Umfang
-
140, [15] S.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Ill., graph. Darst.
Berlin, Humboldt-Univ., Diss., 2001 (Nicht für den Austausch)
- Schlagwort
-
Germanium
Silicium
Mischkristall
Epitaxieschicht
Silicium
Halbleitersubstrat
Epitaxieschicht
Schichtwachstum
Versetzung
Röntgentopographie
- Urheber
-
Pfeiffer, Jens-Uwe
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 13:54 MESZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Pfeiffer, Jens-Uwe
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