Hochschulschrift

Charakterisierung des Relaxationsverhaltens von Si1-xGex/Si(001)-Schichten mittels Röntgentopographie

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Maße
30 cm
Umfang
140, [15] S.
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
Ill., graph. Darst.
Berlin, Humboldt-Univ., Diss., 2001 (Nicht für den Austausch)

Schlagwort
Germanium
Silicium
Mischkristall
Epitaxieschicht
Silicium
Halbleitersubstrat
Epitaxieschicht
Schichtwachstum
Versetzung
Röntgentopographie

Urheber
Pfeiffer, Jens-Uwe

Inhaltsverzeichnis
Rechteinformation
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Letzte Aktualisierung
11.06.2025, 13:54 MESZ

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Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

  • Pfeiffer, Jens-Uwe

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