Hochschulschrift
Charakterisierung des Relaxationsverhaltens von Si1-xGex/Si(001)-Schichten mittels Röntgentopographie
- Standort
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Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
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30 cm
- Umfang
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140, [15] S.
- Sprache
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Deutsch
- Anmerkungen
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Ill., graph. Darst.
Berlin, Humboldt-Univ., Diss., 2001 (Nicht für den Austausch)
- Schlagwort
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Germanium
Silicium
Mischkristall
Epitaxieschicht
Silicium
Halbleitersubstrat
Epitaxieschicht
Schichtwachstum
Versetzung
Röntgentopographie
- Urheber
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Pfeiffer, Jens-Uwe
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
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- Letzte Aktualisierung
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11.06.2025, 13:54 MESZ
Datenpartner
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Pfeiffer, Jens-Uwe