Hochschulschrift | Online-Publikation

Charakterisierung des Relaxationsverhaltens von Si1-xGex/Si(001)-Schichten mittels Röntgentopographie

Location
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Language
Deutsch
Notes
Berlin, Humboldt-Univ., Diss., 2001

Keyword
Germanium
Silicium
Mischkristall
Epitaxieschicht
Silicium
Halbleitersubstrat
Epitaxieschicht
Schichtwachstum
Versetzung
Röntgentopographie

Creator
Pfeiffer, Jens-Uwe

URN
urn:nbn:de:kobv:11-10017975
Rights
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Last update
15.08.2025, 7:38 AM CEST

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Object type

  • Hochschulschrift
  • Online-Publikation

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  • Pfeiffer, Jens-Uwe

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