Hochschulschrift

Phasenseparation von dünnen InGaN-Schichten in der metallorganischen Gasphasenepitaxie - Realisierung und Anwendung von InGaN Quantenpunkten

Weitere Titel
Phase separation of thin InGaN layers by metal-organic vapor phase epitaxy - realization and application of InGaN quantum dots
Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
Bremen, Universität Bremen, Diss., 2011

Schlagwort
Quantenpunkt
Halbleiter
Quantenwell
Hohlraumresonator
Akustisches Spektrum
Laserdiode
Gasphasenepitaxie
Lichtausbeute

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Bremen
(wer)
Staats- und Universitätsbibliothek Bremen
(wann)
2011
Urheber
Beteiligte Personen und Organisationen
Hommel, Detlef
Schmidt, Thomas

URN
urn:nbn:de:gbv:46-00102101-10
Rechteinformation
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
25.03.2025, 13:48 MEZ

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Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

  • Tessarek, Christian
  • Hommel, Detlef
  • Schmidt, Thomas
  • Staats- und Universitätsbibliothek Bremen

Entstanden

  • 2011

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