Hochschulschrift
Herstellung von GaN-Schichten mittels Hochtemperatur-Gasphasenepitaxie
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
31 cm
- Umfang
-
ii, 147 Seiten
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Illustrationen
Technische Universität Bergakademie Freiberg, Dissertation, 2022
- Klassifikation
-
Technische Chemie
- Schlagwort
-
Galliumnitrid
MOCVD-Verfahren
Wafer
Hydridgasphasenepitaxie
Lumineszenzdiode
Aluminiumnitrid
Galliumnitrid
Gasphasenepitaxie
Verbindungshalbleiter
Defekt
Versetzung
Substrat
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 14:27 MESZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
Entstanden
- 2022
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