Hochschulschrift

Herstellung von GaN-Schichten mittels Hochtemperatur-Gasphasenepitaxie

Location
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Extent
Online-Ressource
Language
Deutsch
Notes
Freiberg, Technische Universität Bergakademie Freiberg, Dissertation, 2022

Classification
Elektrotechnik, Elektronik
Keyword
Galliumnitrid
Hydridgasphasenepitaxie
Versetzung
MOCVD-Verfahren
Wafer
Lumineszenzdiode
Galliumnitrid
Gasphasenepitaxie
Verbindungshalbleiter
Defekt
Versetzung
Substrat

Event
Veröffentlichung
(where)
Freiberg
(who)
Technische Universität Bergakademie Freiberg
(when)
2022
Creator
Contributor

URN
urn:nbn:de:bsz:105-qucosa2-797134
Rights
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Last update
25.03.2025, 1:55 PM CET

Data provider

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Object type

  • Hochschulschrift

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Time of origin

  • 2022

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