Hochschulschrift
Herstellung von GaN-Schichten mittels Hochtemperatur-Gasphasenepitaxie
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Freiberg, Technische Universität Bergakademie Freiberg, Dissertation, 2022
- Klassifikation
-
Elektrotechnik, Elektronik
- Schlagwort
-
Galliumnitrid
Hydridgasphasenepitaxie
Versetzung
MOCVD-Verfahren
Wafer
Lumineszenzdiode
Galliumnitrid
Gasphasenepitaxie
Verbindungshalbleiter
Defekt
Versetzung
Substrat
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Freiberg
- (wer)
-
Technische Universität Bergakademie Freiberg
- (wann)
-
2022
- Urheber
- Beteiligte Personen und Organisationen
- URN
-
urn:nbn:de:bsz:105-qucosa2-797134
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
25.03.2025, 13:55 MEZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Schneider, Tom
- Stelter, Michael
- Heitmann, Johannes
- Pätzold, Olf
- Technische Universität Bergakademie Freiberg
Entstanden
- 2022
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