Hochschulschrift
Einsatz alternativer Gruppe-V-Quellen in der metallorganischen Gasphasenepitaxie im Materialsystem (GaIn)(AsP)/InP
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
30 cm
- Umfang
-
IV, 152, 6 S.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Ill., graph. Darst.
Leipzig, Univ., Diss., 2002
- Schlagwort
-
Galliumarsenid
Indiumarsenid
Galliumphosphid
Indiumphosphid
Mischkristall
Gasphasenepitaxie
- Urheber
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
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- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 13:35 MESZ
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Objekttyp
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