Hochschulschrift | Online-Publikation
Untersuchungen zur metallorganischen Gasphasenepitaxie von Gruppe-III-Nitriden auf Silizium (111)
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Regensburg, Univ., Diss., 2004
- Klassifikation
-
Physik
- Schlagwort
-
Silicium
Kristallfläche
Wide-gap-Halbleiter
Nitride
CVD-Verfahren
Wide-gap-Halbleiter ; Nitride
- Urheber
-
Able, Andreas
- URN
-
urn:nbn:de:bvb:355-opus-4534
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
25.03.2025, 13:45 MEZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
- Online-Publikation
Beteiligte
- Able, Andreas
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