Monografie
Untersuchungen zur metallorganischen Gasphasenepitaxie von Gruppe-III-Nitriden auf Silizium (111)
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Regensburg, Univ., Diss., 2004
- Identifier
-
973944846
Thema
Silicium ; Kristallfläche ; Wide-gap-Halbleiter ; Nitride ; CVD-Verfahren ; Wide-gap-Halbleiter ; Nitride; Hochschulschrift; Online-Publikation
Beteiligte Personen und Organisationen
Able, Andreas
- URN
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
26.01.2023, 13:52 MEZ
Objekttyp
- Monografie
Beteiligte
- Able, Andreas
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