Monografie
Van-der-Waals-terminierte Silizium-(111)-Oberflächen und Grenzflächen : Präparation, Morphologie und elektronische Eigenschaften
- Sprache
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Deutsch
- Anmerkungen
-
Darmstadt, Techn. Univ., Diss., 2004
- Identifier
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976134551
Thema
Kristallfläche ; Passivierung ; Galliumselenide ; Silicium ; Halbleitersubstrat ; Epitaxie ; Metall ; Verbindungshalbleiter ; Silicium ; Van-der-Waals-Kraft ; Halbleitergrenzfläche ; Heteroübergang ; Zwei-Sechs-Halbleiter ; Galliumselenide ; Heteroepitaxie ; Epitaxie ; Oberfläche ; Grenzfläche ; Metall-Halbleiter-Kontakt ; Photoelektronenspektroskopie ; Rastertunnelmikroskopie; Hochschulschrift; Online-Publikation
Beteiligte Personen und Organisationen
- URN
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
26.01.2023, 13:53 MEZ
Objekttyp
- Monografie
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