Hochschulschrift | Online-Publikation
Van-der-Waals-terminierte Silizium-(111)-Oberflächen und Grenzflächen : Präparation, Morphologie und elektronische Eigenschaften
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Darmstadt, Techn. Univ., Diss., 2004
- Klassifikation
-
Physik
- Schlagwort
-
Silicium
Kristallfläche
Passivierung
Galliumselenide
Silicium
Halbleitersubstrat
Epitaxie
Metall
Verbindungshalbleiter
Silicium ; Van-der-Waals-Kraft ; Halbleitergrenzfläche ; Heteroübergang ; Zwei-Sechs-Halbleiter ; Galliumselenide ; Heteroepitaxie ; Epitaxie ; Oberfläche ; Grenzfläche ; Metall-Halbleiter-Kontakt ; Photoelektronenspektroskopie ; Rastertunnelmikroskopie
- Urheber
- URN
-
urn:nbn:de:tuda-tuprints-5973
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
25.03.2025, 13:56 MEZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
- Online-Publikation
Beteiligte
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