Parasitäre Oxide an vergrabenen Grenzflächen in modernen Silizium-Solarzellen

Sprache
Deutsch
Umfang
Online-Ressource
Anmerkungen
Halle (Saale), Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg, Dissertation, 2023
Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main

Schlagwort
Grenzfläche
Silicium
Dünne Schicht
Parasitäres Element
PECVD-Verfahren
Zinkoxid
Transparent-leitendes Oxid
Klassifikation
Elektrotechnik, Elektronik

Urheber
Beteiligte Personen und Organisationen
Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Halle (Saale)
(wer)
Universitäts- und Landesbibliothek Sachsen-Anhalt
(wann)
2023

DOI
10.25673/108979
URN
urn:nbn:de:gbv:3:4-1981185920-1109347
Rechteinformation
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
25.03.2025, 13:56 MEZ

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Beteiligte

Entstanden

  • 2023

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