Parasitäre Oxide an vergrabenen Grenzflächen in modernen Silizium-Solarzellen
- Sprache
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Deutsch
- Umfang
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Online-Ressource
- Anmerkungen
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Halle (Saale), Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg, Dissertation, 2023
- Standort
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Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Schlagwort
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Grenzfläche
Silicium
Dünne Schicht
Parasitäres Element
PECVD-Verfahren
Zinkoxid
Transparent-leitendes Oxid
- Klassifikation
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Elektrotechnik, Elektronik
- Urheber
- Beteiligte Personen und Organisationen
- Ereignis
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Veröffentlichung
- (wo)
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Halle (Saale)
- (wer)
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Universitäts- und Landesbibliothek Sachsen-Anhalt
- (wann)
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2023
- DOI
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10.25673/108979
- URN
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urn:nbn:de:gbv:3:4-1981185920-1109347
- Rechteinformation
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Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
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25.03.2025, 13:56 MEZ
Datenpartner
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Beteiligte
- Lange, Stefan
- Scheer, Roland
- Wehrspohn, Ralf B.
- Schmidt, Jan
- Universitäts- und Landesbibliothek Sachsen-Anhalt
Entstanden
- 2023