Monografie
Untersuchungen zur metallorganischen Gasphasenepitaxie von Gruppe-III-Nitriden auf Silizium (111)
- Language
-
Deutsch
- Notes
-
Regensburg, Univ., Diss., 2004
- Identifier
-
973944846
Subject
Silicium ; Kristallfläche ; Wide-gap-Halbleiter ; Nitride ; CVD-Verfahren ; Wide-gap-Halbleiter ; Nitride; Hochschulschrift; Online-Publikation
Contributor
Able, Andreas
- URN
- Rights
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Last update
-
26.01.2023, 1:52 PM CET
Object type
- Monografie
Associated
- Able, Andreas
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